宁波高精度芯片装焊销售企业

芯片热压焊接工艺按内引线压焊后的形状不同分为两种：球焊(丁头焊)和针脚焊。两种焊接都需要分别对焊接芯片的金属框架、空心劈刀进行加热（前者温度为350～400℃，后者为150～250℃），并在劈刀上加适当的压力。首先，将穿过空心劈刀从下方伸出的金丝段用氢氧焰或高压切割形成圆球，此球在劈刀下被压在芯片上的铝焊区焊接，利用此法进行焊接时，焊接面积较大，引线形变适度而且均匀，是较为理想的一种焊接形式。随后将劈刀抬起，把金丝拉到另一端（即在引线框架上对应于要相联接的焊区），向下加压进行焊接，所形成的焊点称为针脚焊。芯片倒装焊需要在芯片的I/O电极上制造凸点，凸点的形状是多种多样的。宁波高精度芯片装焊销售企业

高精度芯片倒装焊CB700：设备技术规格参数：芯片尺寸芯片大小：0.5～20mm；芯片厚度：0.1～1.0mm；基板尺寸基板大小:15～50mm或8寸晶圆；基板厚度：0.1～3.0mm；焊接精度（注1）±0.5um；焊接范围200mm；至大焊接压力1000N；较小焊接压力0.049N；芯片上料方式2、4寸托盘手动设置，自动吸取；基板上料方式手动设置；焊接头加热温度室温～450度（热压）；室温～250度（超声）；工作台加热温度室温～250度；芯片，基板固定方式真空吸附固定；操作系统Windows10；电压200V/3相；外观尺寸2215（W）*1700（D)*1991（H)mm；重量约4500公斤。宁波高精度芯片装焊销售企业芯片倒装焊的方法有各向异性导电胶倒装焊。

芯片倒装焊的技术指标有哪些？芯片倒装焊中倒装焊主要技术指标：1）±3μm，3σ键合后精度；2）芯片键合，倒装键合，Wafer-wafer键合；3）100kg至大键合压力；4）较高温度：450℃（工艺参数范围：样品尺寸5mm*5mm-5cm*5cm;样品厚度Chip小于2mm，substrate小于6mm;压力0－100kg；温度：室温－450℃）。敝司的设备利用图像对比技术，较高可以达到±1um的对位精度，根据芯片的材质、厚度，硬度等，可以选择高压力，低压力控制方法，从而达到高精度的焊接。

倒装芯片焊接（Flip-chip Bonding）技术是一种新兴的微电子封装技术，它将工作面（有源区面）上制有凸点电极的芯片朝下，与基板布线层直接键合。一般来说，这类器件具备以下特点：1. 基材是硅；2. 电气面及焊凸在器件下表面；3. 球间距一般为 4-14mil 、球径为 2.5-8mil 、外形尺寸为 1 -27mm ；4. 组装在基板上后需要做底部填充。其实，倒装芯片之所以被称为“倒装”，是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言的。芯片倒装焊的优点是寄生电容小。

随着对产品的性能要求日益提高，需要在芯片上焊接上另外一个芯片，从而满足性能要求。倒装焊技术又叫做倒扣焊技术。目前的芯片凸点材质以锡，金，铜等材质为主，根据材质需要利用加热，超声，共晶等工艺手段，对凸点进行焊接。目前凸点一般在100微米内，凸点数从几十到几千，随着对产品的性能要求日益提高，需要在芯片上焊接上另外一个芯片，从而满足性能要求。敝司的设备利用图像对比技术，较高可以达到±1um的对位精度，根据芯片的材质、厚度，硬度等，可以选择高压力，低压力控制方法，从而达到高精度的焊接。芯片焊接流程中操作补焊步骤时要旋转板子，将另一个焊盘也焊上锡。宁波高精度芯片装焊销售企业

芯片倒装焊的优点是寄生电感小。宁波高精度芯片装焊销售企业

芯片焊接不良有什么原因？怎么解决？基片清洁度差，基片被沾污、有局部油渍或氧化会严重影响焊接面的浸润性。这种沾污在焊接过程中是较容易观察到的，这时必须对基片进行再处理。热应力过大，热应力引起的失效是个缓慢的渐变过程，它不易察觉，但危害极大。通常芯片厚度越大应力相应越小。因此芯片不应过薄。另外如果基片或底座与芯片热性能不匹配，也会造成很大的机械应力。焊接前基片或底座可先在200℃预热，用于拾取芯片的吸头也可适当加热以减少热冲击。焊接后可以在N2 保护气氛下进行缓慢冷却，在此冷却过程中也可消除部分应力。基片金层过薄，当基片镀金层较薄又不够致密时，即使在氮气保护下，达到Au-Si共晶温度时，镀层也会发生严重的变色现象，从而影响焊接强度。对于1mm×1mm的芯片，基片上镀金层厚度大于2μm才能获得可靠的共晶焊般来说，芯片尺寸越大，镀金层也要相应增加。宁波高精度芯片装焊销售企业

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